2017年5月例会・講演会
2017年5月例会(講演会)を5月20日(土)に実施しました。
【日時・場所】
日時:2017年5月20日(土) 13:30~17:00
場所:名古屋工業大学 2号館 1階会議室
【内容】
議 事:
13:30~17:00:講演会
■講演1)
講演者:水野公元 先生
(技術士 電気電子部門(電子応用)、水野技術士事務所)
講演者:水野公元 先生
(技術士 電気電子部門(電子応用)、水野技術士事務所)
テーマ:
「インバータの出力制御方式について」
「インバータの出力制御方式について」
講演概要:
自己紹介、インバータ関連の研究開発の略歴、
インバータ市場の拡大、インバータの使用概況、
インバータの技術構成、
インバータの出力制御方式について、
概要~ハード/ソフト設計まで、幅広く説明頂きました。
特に出力制御方式については時間をかけて、
多くの方式の原理や特徴をご丁寧に教えて頂きました。
時間が足りないぐらい、盛り沢山の内容でした。
自己紹介、インバータ関連の研究開発の略歴、
インバータ市場の拡大、インバータの使用概況、
インバータの技術構成、
インバータの出力制御方式について、
概要~ハード/ソフト設計まで、幅広く説明頂きました。
特に出力制御方式については時間をかけて、
多くの方式の原理や特徴をご丁寧に教えて頂きました。
時間が足りないぐらい、盛り沢山の内容でした。
■講演2)
講演者:分島彰男 准教授
講演者:分島彰男 准教授
(名古屋工業大学 電気・機械工学専攻)
テーマ:
「未来を拓く新技術
~窒化物半導体電子デバイスの基礎および応用~」
「未来を拓く新技術
~窒化物半導体電子デバイスの基礎および応用~」
講演概要:
研究背景、
薄膜結晶成長 GaN on Si技術、GaNトランジスタ、
GaNトランジスタの応用、名工大のとりくみ、など、
GaN半導体の基礎から応用、技術の細部に至るまで、
とても分かり易く説明頂きました。
最先端の研究のご紹介で、現在の研究状況や、
今後の課題や方向性など、非常に勉強になりました。
GaNデバイスの将来に夢が膨らみました。
研究背景、
薄膜結晶成長 GaN on Si技術、GaNトランジスタ、
GaNトランジスタの応用、名工大のとりくみ、など、
GaN半導体の基礎から応用、技術の細部に至るまで、
とても分かり易く説明頂きました。
最先端の研究のご紹介で、現在の研究状況や、
今後の課題や方向性など、非常に勉強になりました。
GaNデバイスの将来に夢が膨らみました。